5LN01C-TB-E datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ

• Маркировка
  5LN01C-TB-E
• Производитель
  Sanyo Semiconductor
• Описание
  ON Semiconductor 5LN01C-TB-E RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 50 V Gate-Source Breakdown Voltage: 10 V Continuous Drain Current: 0.1 A Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: SOT-23 Fall Time: 105 ns Forward Transconductance gFS (Max / Min): 0.18 S Gate Charge Qg: 1.57 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 0.25 W Rise Time: 42 ns Typical Turn-Off Delay Time: 190 ns
• Количество страниц
  7 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet 5LN01C-TB-E.pdf
Файл формата Pdf 162,12 KB